【图文】MOS管饱和区、三极管饱和区的区别-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-05-16
mos：iDs不随Vds增加而增加；
bjt:iC不随iB的增加而增加；
典型VT=1V;
三极管的饱和区：Ic不随Ib的增大而增大，所以称为饱和区。
MOS管的饱和区：Ids不随Vds的增大而增大，所以称为饱和区。
其实，三极管在线性区时,Ib=B Ic, 在VCE与Ib的曲线图中,一般希望静态工作点Q落在中间也就是落在线性区间.在饱和区,基极的电流不会在集电极端放大.在应用时我们使用Ib进行放大。
而MOS管则不同,首先MOS管的栅极电流接近0,不会被放大.主要是沟道电流Ids由栅极电压和沟道电压(参考ids同vgs,vds的关系式).在饱和区,忽略沟道长度调整,其Ids在饱和区就接近恒定了,实际上不是这样的,Ids由vgs来放大,希望vds对放大的影响小,因而只有在饱和区内放大信号是有意义的。
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