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MOS管导通条件-PMOS、NMOS分享-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2022-04-24 

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MOS管导通条件-PMOS、NMOS分享-KIA MOS管


MOS管导通条件

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型MOS管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。


一般2V~4V就可以了。但是,MOS管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。


开关只有两种状态通和断,三极管和MOS管工作有三种状态,1、截止,2、线性放大,3、饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加)。


使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止,集电极不吸收电流表示关;以晶体管饱和,发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。


开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。


NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。


PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。


MOS管 导通条件


NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);


PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)。


PMOS增强型管:uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压;


NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压;


PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

MOS管 导通条件


比如AOD409是一款P型MOS管,其中uGS=-10V,所以uG-uS<-10V才能导通。同理LR8726参数uG=10V,所以uG-uS>10V才能导通。


那么S极和D极输入输出反接又会怎样呢?

MOS管 导通条件


这里D极和S极反向也不绝对,前提是看电路怎么设计,如输入是地时也不用考虑寄生二极管直接导通的状况,图片上反接导致寄生二极管直接导通前提是输入为高电压,经过负载后直接流向地。这种情况是要避免出现的。否则MOS管就会失去了开关作用。




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