集成运算放大器|场效应管集成运放详解-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-11-13
场效应管集成运放：集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm2的硅片，上通过平面工艺制做成的。这种硅片( 称为集成电路的基片)上可以做出包含为数十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。
1.电路中各元件在同一基片上，通过相同工艺过程制造而成，其特性较为一致。
2.集成电路中的二极管多用于温度补偿或电平移动,通常由三极管的发射结构成。
3.电阻元件由半导体的体电阻构成，阻值越大，占用的硅片面积越大。通常的电阻范围为几十Ω -20kΩ,高阻值的电阻多用半导体三极管等有源元件代替或外接。
4.电容元件由PN结的结电容或MOS管电容来制作，一般的容量小于200pF。不能制造电感元和大电容。因此在集成电路内部通常采用直接耦合，无法采用阻容耦合、变压器耦合方式。
5.集成电路中多采用复合结构电路。
运算放大器
运算放大器的符号中有三个引线端，两个输入端，一个输出端。一个称为同相输入端，即该端输入信号变化的极性与输出端相同,用符号"+"表示;另一个称为反相输入端，即该端输入信号变化的极性与输出端相异，用符号"-"表示。
输出端一般画在输入端的另一侧，在符号边框内标有"+"号。实际的运算放大器通常必须有正、负电源端，有的品种还有补偿端和调零端。
1.理想运放的同相和反相输入端电流近似为零
2.理想运放的同相和反相输入端电位近似相等(线性工作状态时)
虚断：由于理想运放的输入电阻非常高，可以把两输入端视为等效开路—简称虚断。
虚短：在运算放大器处于线性状态时，可以把两输入端视为假想短路—简称虚短。
虚地：如将运放的同相端接地，即V+=0，则V-=0,即反相端是一个不接“地” 的“地”，称为虚地。
FET与BJT的区别
1.BJT是电流控制元件; FET是电压控制元件。
2.BJT参与导电的是电子-空穴， 因此称其为双极型器件;FET是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子,因此称其为单级型器件。
3.BJT的输入电阻较低，一般102-104Ω;FET的输入电阻高，可达109-1014Ω
场效应管的分类：
结型场效应管JFET；MOS型场效应管MOSFET
晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT ( Bipolar Junction Transistor )
场效应管FET (Field Effect Transistor )
结型场效应三极管JFET (Junction typeFET)
绝缘栅型场效应管也称金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET，简称为MOS管(Meta1-Oxide- Semi conductor type FET)
MOS管有NMOS、PMOS、 CMOS
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