50n06参数中文 KIA50N06 50A60V 中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-09-27
产品特征：
RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
提供无铅绿色设备
低Rds开启，最大限度地减少导电损
高雪崩电流
产品用应：
电源
不间断电源
电池管理系统
Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm:最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd:最大耗散功率
Tj:最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg:最大存储温度
Iar:雪崩电流
Ear:重复雪崩击穿能量
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss：DS击穿电压
Idss:饱和DS电流，uA级的电流
Igss:GS驱动电流，nA级的电流.
gfs:跨导
Qg:G总充电电量
Qgs:GS充电电量
Qgd:GD充电电量
Td(on):通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr:上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Td(off):关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间
Tf:下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间。
Ciss:输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.
Coss:输出电容，Coss=Cds+Cgd.
Crss:反向传输电容，Crss=Cgc.
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
