结型场效应管JFET知识详解（附上图文）结构及四个工作区-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-08-14
场效应管（JFET）它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很?。?，形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。
结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构和符号。
如图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图
输出特性可以分为四个工作区：
场效应管在手机射频电路中作为放大元件使用，在逻辑电路一般作开关元件使用。与三极管一样，场效应管必须加上适当的偏压，才能正常工作，才能起放大、振荡很有成效作用。其中P沟通型场效应管必须加上负的栅—源电压，而N沟道型场效应管工作必须加上正的栅—源电压。
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