场效应管知识-场效应管主要参数、作用和特点详解-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2020-07-31
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
(1)直流参数
饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP，它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT，它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
(2)交流参数
低频跨导gm，它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容，场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)极限参数
漏、源击穿电压，当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压，结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强。
下面我们通过表格把各种场效应管的符号和特性曲线表示出来：
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
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