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MOSFET栅极电压

信息来源：本站　日期：2017-05-19　

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漏极电流上升和下降太快会在地线和电源线上引起较大的 Ldi/dt 尖峰电压并在邻近的线路或节点上辑合出大的 CdV/dt j良涌电流。

由此引出的问题是，为了尽可能缩短漏极电流的上升时间，具体需要多大的栅极电压上升速度。图 9.3b和图 9.3d 的传输特性曲线中给出了答案。

对于MOSFET管，漏极电流从0上升到Id的时间对应于栅极电压从值电压比上升到 Vg1 的时间，如图9.3b所示。栅极电压从0上升到阙值（约为 2.5V ）的时间为 MOSFET 管的导通延迟时间。漏极电流导通速度并不能像双极型晶体管那样通过在输入端施加过驱动来如速（见8.2节和图8.2 (b）。

另外，MOSFET没有存储时间，只存一个关断延迟时间。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ）下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间。在这个时间段内漏极电流保持不变，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔值比的时间。

下面讨论 MTM7N45 管从关断状态到漏极电流Id上升到 2.5A 的导通过程。在栅极电压从ov上升至2.5V的50ns 时间里，漏极电流Id为 ov ，如图9.3 b所示。随后在栅极电压升到 5V 的过程中，漏极电流Id 将逐渐从 OA 上升至 2.5A 。

因此，若栅极电压从ov 上升至 IOV 需要 50ns，则漏极电流从 OA 上升至 2.5A 的时间约为（ 2.5+10 ）×50=12.Sns ，如图 9.5 所示。这样，栅极驱动电压为 IOV 的MOSFET 管的导通时间是漏极开路电流导通时间的 2 3 倍。这是因为漏极电流的上升时间仅仅是栅极电压上升时间的一小部分。栅极电流只需要为前面计算值的 3/1，2/1 就可以了。