晶体管的驱动 MOSFET 管
信息来源：本站 日期：2017-05-17
MOSFET管栅极驱动电路
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电压，MOS驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “ 源” 和 “ 汇”。图 9.6 ( a ） 中的电路说明了这一点。
SG1524 型 PWM 芯片输出级由发射极和集电极都悬空的晶体管构成 。当输出级的晶体管 导通 ，它能从集电极抽取或从发射极输出 200mA 的电流。当利用晶体管的发射极驱动 MOSFET 管的栅极时 ，发射极电阻能从栅极抽取电流 ，降低栅极电压来关断 MOSFET 管。 通常当片内输出晶体管导通时 ，功率晶体管也要立即导通 。图9.6( b ）给出了一个 N 型MOSFET 管的驱动电路 ，它的栅极由 SG1524 型 PWM 芯片的发射极驱动 。图 9.6 C b ） 中的驱动电路能提供 200mA 的电流给栅极，快速地导通 MOSFET 管。所以， 如 9.2.2 节所述 ，50ns 内需要 0.924A 的电流去驱动 MTM7N45 管栅极电压使之上升到 IOV 。
可以推导 ，SG1524 型 PWM 芯片输出 200mA 电流时，栅极电压从 ov 上升到 IOV 只需
( 0.924/0.2 ） ×50=231ns 。又如 9.2.3 节所述 ，漏极电流上升时间对应于栅极电压从 2.5V 上升 到 sv 所用的上升时间 ，漏极电流上升时间就 只有 （ 2.5+10 ） ×231=58肘。初始的 2.5V 栅极电 压上升到阔值电压只产生了 58ns 的延迟。这虽然降低了最大开关频率 ，但它不会引起任何开 关损耗。
栅极电压从 ov 到 IOV 的上升时间 C 231ns ） 己经足够短了，但在图9.6 C b ） 所示电路中 ， 因为没有恒定电流给电容放电 ，所以栅极电压下降时间只取决于发射极电阻 Re 和栅极输入电压。
在图 9.6 C b ） 中，当MOS管驱动芯片内输出晶体管的基极为低电平时 ，输出晶体管发射极的电压由 于 MOSFET 管的大输入电容而依然维持为高电平 。输出晶体管关断后，只剩下输出发射极电 阻给 MOSFET 管输入电容提供放电 回路。对应的电容值 （ 9.2.2 节） 为输入电容加上米勒电 容，即 1800+(180+ 10）×150=4500pF。
这样 ，对于标称值为 2000.的发射极电阻，MOSFET 管栅极电压下降时间为 3RI C=3× 200×4500=2.70阳。如果开关频率达到 IOOkHz 以上，则 2.70阳的栅极电压下降时间显然太长 了。这是由于存在 MOSFET 管栅极输入电容的缘故 ，因此就需要用独立的晶体管来驱动 MOSFET 管，它可以输出或吸收 200 400mA 的电流。
就 SG1524 型 PWM 芯片来说 ，它拥有输出或吸收电流的能力 ，但是不能同时应用 。大多数情况下 ，简单而实用的 MOSFET 管的栅极驱动电路就是使用 NPN-PNP 图腾柱式射极跟随器。如图 8.17 所示 ，晶体管 Q2 和 Q3 分别是 2N2222A 和 2N2907A ，采用 T0-18 封装，价 格不超过十美分 。它们可以输出或抽取 800mA 的电流，上升时间约为 60ns 。图腾柱上方的 晶体管可以用 PWM 芯片输出级的晶体管代替 ，如图9.6( c ）所示 。虽然它的驱动能力 OOmA ) 比 2N2222A 管小，但一般情况下己经足够了 。
第二代 PWM 芯片，如 Unitrode 公司生产的 UC1525A［坷 ，具有内置图腾柱结构 ，它由 NPN 型反相器叠加 NPN 型射极跟随器组成 。如图 9.7 ( a ） 所示，射极跟随器和反相器由相 位相差 180。的信号驱动，交错导通。通过使用具有两个互相隔离的次级的变压器（ 图 9.7( b) ) 驱动具有不同直流电压水平的半桥或全桥电路的上 F两只晶体管。类似地 ，推挽电路也可以 驱动具有相同直流电压的 MOSFET 管。
在图 9.7 C b ） 中，变压器初级连接到 PWM 芯片的 11 脚和 14 脚。在半周期的导通时间 内，11 脚相对于 14 脚为正 ，并输出 200mA 电流。11 脚电位对地约为 ＋（Vh 2)V, 14 脚电位 对地约为＋2V 。在半周期的死区时间内 ，11 脚和 14 脚都对地短路 。在下半周期 ，11 脚和 14 脚的极性颠倒 。若初级电压为士 lOV ，则供电电压 vh 应约为 14V。
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