MOS管350V KIA6035A N沟道MOS管规格书 封装 免费送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-12-17
这款功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术制作的。这个先进的技术是为电阻最小转态而特别定制的，提供优越的开关性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脉冲。这款设备非常适合于高效率的开关电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低栅极充电（典型15nC）
耐用性高
快速切换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力
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