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MOS管 4665A 7.5A/650V规格书参数、封装 原厂直销 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-12-05 

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MOS管 4665A 7.5A/650V规格书参数、封装 原厂直销 免费送样

MOS管原厂简介

1、品牌:KIA


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2、KIA半导体官网:www.47572.cn (欢迎咨询,KIA半导体专业制造MOS管,会给客户提供优越的售后技术服务及前期的免费送样等)


3、KIA公司简介:深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


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强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


KIA半导体从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


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MOS管 4665A 7.5A/650V产品简介

这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这个先进的技术是特别定制的,可将通态电阻降到最低,提供优良的开关性能,能承受雪崩和交换模式下的高能脉冲。这个MOS管非常适合高效率开关电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑等。


KIA半导体是提供免费送样及技术服务的,给客户提供优质的产品及售后服务,我们产品都是待载168小时持续高温老化检测及11项参数检测的。


MOS管 4665A 7.5A/650V产品特点

7.5A, 650V, RDS(on)typ.=1.1Ω@VGS=10V

低栅极电荷(典型25nC)

耐用度高

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力


MOS管 4665A 7.5A/650V产品主要参数

型号:KNF4665A

电流/电压:7.5A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

单脉冲雪崩能量:230MJ

雪崩电流:7.5A

重复雪崩电压:21MJ

峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns


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MOS管 4665A 7.5A/650V产品封装图


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MOS管 4665A 7.5A/650V产品规格书详情

在线查看及下载规格书,请点击下图。


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

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