300V MOS管选型-300V MOS管型号参数、封装尺寸、价格等资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-09-05
型号命名：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源电压：300V
门-源电压：±20V
连续漏电电流：40A
单脉冲雪崩能量:1250MJ
二极管峰值恢复:5.0V/ns
漏源击穿电压:300V
输入电容:3100pF
输出电容:250pF
反向传输电容:80pF
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
专有的新平面技术
低栅电荷最小开关损耗
快速恢复体二极管
1、不间断电源
2、直流-直流变换器
3、电机控制
4、其他领域
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体也一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制，确保提供给客户的产品是安全可靠的。
需要咨询更多产品信息、价格、封装等资料，请联系我们，我们将竭诚为您服务！
ards---漏源电阻温度系数
aID---漏极电流温度系数
Vn---噪声电压
η---漏极效率（射频功率管）
Zo---驱动源内阻
VGu---栅衬底电压（直流）
VDu---漏衬底电压（直流）
Vsu---源衬底电压（直流）
VGD---栅漏电压（直流）
VDS(sat)---漏源饱满电压
VDS(on)---漏源通态电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGSR---反向栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
Tstg---贮成温度
Tc---管壳温度
Ta---环境温度
Tjm---最大容许结温
Tj---结温
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
POUT---输出功率
PIN--输入功率
PDM---漏极最大容许耗散功率
PD---漏极耗散功率
R(th)ja---结环热阻
R(th)jc---结壳热阻
RL---负载电阻（外电路参数）
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
rGS---栅源电阻
rGD---栅漏电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS---漏源电阻
Ls---源极电感
LD---漏极电感
L---负载电感（外电路参数）
Ku---传输系数
K---失调电压温度系数
gds---漏源电导
ggd---栅漏电导
GPD---共漏极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨导
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
Iu---衬底电流
IDSS2---对管第二管漏源饱满电流
IDSS1---对管第一管漏源饱满电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IF---二极管正向电流
IGP---栅极峰值电流
IGM---栅极脉冲电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGDO---源极开路时，截止栅电流
IGR---反向栅电流
IGF---正向栅电流
IG---栅极电流（直流）
IDS(sat)---沟道饱满电流（漏源饱满电流）
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDSM---最大漏源电流
IDS---漏源电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
ID(on)---通态漏极电流
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量
Ear:重复雪崩击穿能量
Iar:雪崩电流
Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).
Qrr :反向恢复充电电量.
Trr :反向恢复时刻.
VSD :正导游通压降.
ISM:脉冲最大续流电流(从源极).
IS :接连最大续流电流(从源极).
EAR:重复雪崩击穿能量.
IAR :雪崩电流.
EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.
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