600V-700V MOS管型号 参数 封装-MOS管原装正品 免费送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-08-30
(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。
(6) 最大漏极电流 IDM
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
MOS管为压控元件，你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小。这就是常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。
接下来我们了解一下KIA半导体600V-700V的MOS管型号、封装、参数。
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体已经有强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
以下是600V-700V MOS管选型，如需了解更多型号或其他产品，请联系我们！我们将竭诚为您服务！
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
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