NCE30H15替代MOS管-KIA2803A规格书参数 现货供应 原装正品-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-07-10
KIA2803A MOS管品牌是KIA半导体。如果您不了解KIA，我在这里简单介绍一下，您需要了解更多可以查看KIA官网或是致电KIA，我们将竭诚为您服务！
KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
现已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
下面将介绍KIA2803A和NCE30H15两个型号的参数、封装、电路特征（附有规格书）。
VDS=30V,ID=150A
RDS(ON)<3.0mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<4.0mΩ@VGS=4.5V
超低RDSON高密度电池设计
稳定性好，均匀性好
良好的散热包装
高静电放电性能的特殊工艺技术
1、电源切换应用
2、硬开关和高频电路
3、不间断电源
查看与下载PDF规格书，请点击下图。
1、RDS（on）=2.2mΩ（类型）@VGS=10V
2、低导通电阻
3、100%雪崩试验
4、无铅、符合RoHS标准
产品型号：KIA2803A
工作方式：150A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A
脉冲漏电流测试TC=25oC:600A
单脉冲雪崩能:625MJ
最大功率消耗TC=25oC:160W
最高温度:175℃
贮存温度范围：-55℃至+175℃
查看及下载规格书，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
