NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管参数、封装、规格书详情-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-07-02
KIA2808A可替代NCE80H16，KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
RDS(on) =4.0毫欧（典型值）@ VGS=10V
100%雪崩测试
可靠、坚固耐用
无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
产品型号：KIA2808A
工作方式：150A/80V
漏源电压：80V
栅源电压：±25V
漏电流连续：150A
脉冲漏极电流：660A
雪崩能量：1.1***mJ
耗散功率：178W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：80V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：6109PF
输出电容：995PF
上升时间：18ns
开关中的应用
逆变电源的电源管理
查看详情请点击下图
VDS=80V,ID=160A
RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度电池设计
稳定性好，均匀性好
良好的散热包装
高静电放电性能的特殊工艺技术
（一）封装尺寸
（二）封装引脚图
查看及下载规格书，请点击下图。
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