KNX3706A 50A/60V N沟道MOS管中文资料、封装、参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-06-04
KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求，100%EAS保证功能的可靠性得到认可。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮气保护
超低栅极电荷
最佳Cdv/dt效应衰减
高级高密度槽技术
电流：50A
电压：60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：100A
单脉冲雪崩能：72.2MJ
雪崩电流：38A
接头和储存温度范围：-55℃至150℃
总功耗：42W
漏源击穿电压:60V
输入电容：3220pF
输出电容：210pF
反向转移电容：145pF
连续源电流:50A
脉冲源电流:100A
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