N沟道MOS KNX4820 9.0A/200V规格书-专业制造MOS管厂家-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-05-15
KNX4820沟道增强型硅栅功率MOSFET设计用于高压，高速电源切换应用，如高效开关电源、基于半桥拓扑的电子镇流器功率因数校正。封装有TO-251、TO-252、TO-220。
专有平面新技术
RDS(ON),typ.=250m Ω@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
快恢复体二极管
（一）MOS管4820-A版
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（二）MOS管4820-B版
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