KIA35P10A替代CMD5950 PDF资料参数-KIA35P10A大批量供货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-05-13
CMD5950采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的低门电荷RDS（on），它可用于多种用途。
P沟道
低电阻
快速切换100%
雪崩测试
漏源电压：-100V
栅源电压：20V
连续漏电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪崩电流：- 35 A
总功耗：50w
储存温度范围：- 55至150
工作结温度范围：150℃
1、RDS(on)=42mΩ（typ)@VGS=10V
2、100%EAS保证
3、绿色设备可用
4、超低门电荷
5、Cdv/dt效应低
6、先进的高密度槽道技术
7、KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，以提供优良的RS（ON）和门KIA35P10A符合RoHS和Green的要求，适用于多种用途。KIA35P10A产品要求：100%EAS保证，功能可靠。
产品型号：KIA35P10A
工作方式：-35A/-100V
漏源极电压：-100V
栅源电压：±20V
单脉冲雪崩能：345MJ
雪崩电流:28A
总功耗:104W
操作和储存温度范围：-55℃至+150℃
1、电动车防盗器
2、农机
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