MOS管KIA50N06替代NCE6050规格书资料 产品优质 全新原装-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-04-15
MOS管KIA50N06替代NCE6050，文中将会具体的描述KIA50N06和NCE6050两个产品参数、封装、附加规格书等。KIA50n06是三端器件与约50A电流传导能力，快速开关速度。低通态电阻，60V额定击穿电压，最大阈值4伏电压。它主要适用于电子镇流器和低功率开关。
RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。
超低栅极电荷（典型的30nc）
低反向转移电容
快速切换的能力
100%雪崩能量
改进的dt／dt能力
漏极至源极电压：60
栅源电压：±20
漏极电流 （连续）：50
单脉冲雪崩能量：480
耗散功率：130
工作温度：-55~+150
输入电容：VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz
击穿电压温度：0.7
上升时间：VDD=30V，ID=25A，RG=50Ω(note4,5)
查看规格书请点击下图。
漏源电压：60V
栅源电压:±20V
漏电流连续:50A
脉冲漏电流:220A
最大功耗:80W
输入电容：900PF
输出电容：104PF
封装：TO-252、TO-251、TO-220
查看规格书请点击下图。
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