MOS管 KIA18N50H中文资料 18A/500V-MOS管封装 价格 厂家-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-04-15
KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计的。电压、高速功率开关应用，如高效开关电源，功率因数校正。
RDS(on)=0.25?@VGS=10V
低栅电荷
快速切换能力
提高了dv/dt能力
工作方式：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:72A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输出电容：400pF
连续漏源电流：18A
查看及下载规格书，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
