MOS管专业制造 KIA24N50H 24A/500V规格书-免费送样 供货稳定-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-04-11
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进技术是特别定制，以最小化通态电阻，并提供优越的开关。其性能好，能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这种功率MOSFET非常适合于高效率开关电源。
RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V
低栅电荷
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高了dv/dt能力
型号：KIA24N50H
工作方式：24A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:96A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：3500pF
输出电容：520pF
反向转移电容:55pF
漏源二极管正向电压:1.5V
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