KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规格书/封装-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-03-25
KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源，开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS标准
3、低栅电荷最小开关损耗
4、快速恢复体二极管
产品型号：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±20V
漏电流连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1554PF
输出电容：153PF
上升时间：31ns
查看规格书，请点击下图
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
