MOS管原厂供货 3103A 110A/30V 规格书-DFN5*6封装 免费送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-01-23
RDS（on）=1.9米（典型值）@VGS=10V
低导通电阻
快速切换
100%雪崩试验
符合RoHS标准
KIA3103A采用沟槽加工技术设计，具有极低的导通电阻。这种设计的其他特点是一个150°接点工作温度，快速开关速度和改进了重复雪崩等级。这些特性结合在一起，使这个设计成为一个非常有效的和可靠的设备，用于电机应用和广泛的其他应用。
型号：KNY3103A
工作方式：110A/30V
漏源极电压：30V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流测试：440A
雪崩能量单脉冲：361MJ
最大功耗：62.5W
最高结温：150℃
KNY3103AMOS管产品的封装是以新型的封装DFN5*6为主，KIA半导体与知名的天水华天微封装厂家合作，见下图
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