场效应管驱动电路的改进
信息来源：本站 日期：2017-04-15
场效应管驱动电路的改进
如图二所示，典型应用电路是由驱动2个N沟道MOSFET管或IGBT组成的半桥驱动电路。固定的栅极参考输出通道(L0)用于下端连接的功率场效应管T2，浮动的栅极输出通道(HO)用于上端连接的功率场效应管T1。以驱动N沟道MOSFET管为例来介绍。功率MOS—FET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存储效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，其等效电路图一所示。
图二
输入电容Ciss、输出电容Coss和反馈电容Crss与极间电容的关系可表示为：
IR21844不能产生负偏压，如果用于驱动桥式电路，由于极间电容的存在，在开通和关断时刻，栅漏极间的电容CGD有充放电电流，容易在栅极上产生干扰。针对这一不足，可以在栅极限流电阻(R1和R2)上分别反并联一个二极管(D3和D4)来解决，该二极管可以加快极间电容上的电荷的放电速度。
功率器件的栅源极的驱动电压一般为CM()S电平(5～20 V)，因此要在栅极增加?；さ缏?。电路中稳压二极管D5、D6限制了所加栅极电压，电阻R1、R2进行分压，同时也降低了栅极电压。功率器件T1、T2在开关过程中会产生浪涌电压，这些浪涌电压会损坏元件，所以电路中采用稳压二极管D5、D6钳位浪涌电压。
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