KIA20N50H 20A/500V MOS管原厂-10几年品质追求 免费送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-11-02
1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高功率MOSFET设计的电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源等。有源功率因数校正。
2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V
3、低门电荷（典型的70纳米）
4、快速切换能力
5、雪崩能量指定
6、改进的dv/dt能力
产品型号：KIA20N50H
工作方式：20A/500V
漏源极电压：500V
栅源电压:±30V
功能温度:+150℃
贮存温度：-55℃至+150℃
以下为KIA20N50H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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